Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA914DJ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA914DJ
SIA914DJ-T1-E3 Hakkında
SIA914DJ-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile düşük gatevoltajında çalışabilir. 20V Vdss ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6.5W maksimum güç disipasyonu, 53mOhm RdsOn değeri ve 11.5nC gate charge özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetim sistemlerinde ve entegre analog devreler içinde yer alır. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, kompakt tasarımlar gerektiren surface mount uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerini daha güncel alternatiflere bırakmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok