Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA913DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA913DJ
SIA913DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA913DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ve 4.5A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 70mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışır. Mobil cihazlar, tüketici elektroniği, enerji yönetimi ve ses amplifikatörleri gibi kompakt devre tasarımlarında tercih edilir. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok