Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA912DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA912DJ
SIA912DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA912DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 40mOhm'luk düşük on-resistance değerine ulaşır. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük voltaj anahtarlama sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 6.5W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Surface mount teknolojisi ile PCB üzerine monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok