Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA911EDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA911EDJ
SIA911EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA911EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 101mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 7.8W maksimum güç yönetiminde kullanılabilir. SC70-6 PowerPAK® yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 101mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok