Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA910EDJ
SIA910EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA910EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® SC-70-6 paket formatında sunulan bu komponent, logic level gate özelliğine sahiptir. 12V drain-source voltaj ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 28mOhm (RDS On) ile düşük iletim direncine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama uygulamaları, sinyal yönlendirme, sürücü devreleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Surface mount montajı ile yoğun devre tasarımlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok