Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA907EDJT-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA907
SIA907EDJT-T1-GE3 Hakkında
SIA907EDJT-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 paketinde sunulan bu transistör, düşük gate charge (23nC @ 10V) ve 57mOhm'luk açık kanal direnci özellikleriyle devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok