Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA906EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA906EDJ
SIA906EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA906EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim uygulamalarında doğrudan TTL/CMOS devrelerinden sürülebilir. 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı switch uygulamalarında kullanılır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren compact tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok