Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA778DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA778DJ
SIA778DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA778DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 12V ve 20V drain-source voltaj seviyelerinde çalışabilir. 4.5A ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük gate charge (15nC @ 8V) ve minimal RDS(on) (29mOhm @ 4.5V, 4.5A) değerleriyle sunulan bu devre elemanı, güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SC-70-6 Dual paket içerisinde sunulan komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ~ 150°C olup, yüzey montajı (SMD) teknolojisiyle üretilmiştir. Ürün halen arşiv durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A, 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6.5W, 5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok