Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA537EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA537EDJ
SIA537EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA537EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET çiftini içeren bir transistör dizisidir. PowerPAK SC-70-6 Dual paketinde sunulan bu bileşen, 12V ve 20V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmıştır. 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan transistör, logic level gate kontrolü özelliğine ve 28mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, anahtarlama uygulamaları, elektrik motor sürücüleri, LED sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi pek çok alanda kullanılmaktadır. Düşük gate charge (16nC) ve input capacitance (455pF) değerleri, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok