Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA533EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA533EDJ
SIA533EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA533EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET dizisidir. PowerPAK® SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 12V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı ile çalışır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 34mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Surface mount montaj tipi ile kompakt tasarımlara uygun olan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 15nC gate charge ve 420pF input kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok