Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA527DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA527DJ
SIA527DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA527DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SC-70-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 12V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 29mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 7.8W maksimum güç derecelendirilmesi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok