Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA519EDJ
SIA519EDJ-T1-GE3 Hakkında
SIA519EDJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. PowerPAK SC70-6 paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 4.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim kontrol uygulamalarında doğrudan kullanılabilir. 40mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol, PWM uygulamaları ve taşınabilir cihazlar gibi kompakt tasarımların gerekli olduğu alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 7.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok