Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SIA517DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SIA517DJ
SIA517DJ-T1-GE3 Hakkında
SIA517DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. SC-70-6 PowerPAK paketinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 29mOhm maksimum On-state direnci (Rds On) ve 6.5W maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılabilirliğini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 6.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok