Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SIA513DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Seri / Aile Numarası
SIA513DJ

SIA513DJ-T1-GE3 Hakkında

SIA513DJ-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-channel MOSFET dizisini içeren bir yarı iletken bileşenidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrolü sağlar. 60mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Surface Mount teknolojisi ile PowerPAK SC-70-6 dual paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışır. Anahtarlama devreler, LED sürücüleri, güç yönetimi ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmış olup (Obsolete) mevcut stoklardan temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 6.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok