Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
SI9945BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9945BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltajında 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde kullanılır. 58mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayarak verimli güç dönüştürme işlemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok