Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9936DY
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI9936
SI9936DY Hakkında
SI9936DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET'tir. 30V drain-source voltajına sahip bu bileşen, sürekli 5A drain akımında çalışabilir ve 50mΩ on-resistance ile karakterize edilir. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan SI9936DY, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığı, yüksek entegrasyonlu ve kompakt tasarımları gerektiren uygulamalara uygun hale getirir. 900mW maksimum güç dağılımı ile batarya yönetimi ve düşük voltaj anahtarlama devreleri için tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 525pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok