Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9936BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
SI9936BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9936BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate sürülebilirliği sayesinde düşük voltaj sinyal kaynakları ile doğrudan uygulanabilir. 35mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SI9936, güç yönetimi, motor denetimi, anahtarlama kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen geniş sıcaklık aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok