Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI9936BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI9936

SI9936BDY-T1-E3 Hakkında

SI9936BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. 30V Vdss ve 4.5A sürekli dren akımı özelliklerine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim lojik devreleriyle doğrudan sürülebilmektedir. 35mOhm on-state direnci ile verimli anahtar işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok