Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9934BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
SI9934BDY-T1-GE3 Hakkında
SI9934BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V Drain to Source voltajı, 4.8A sürekli drenaj akımı ve 35mOhm RDS(on) değeri ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışır. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği sunar. Ürün Obsolete statüsünde olup, tasarım gereksinimlerine uygun alternatif bileşenlerin araştırılması tavsiye edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok