Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI9934BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI9934

SI9934BDY-T1-E3 Hakkında

SI9934BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde iki adet P-kanal FET barındırır. 12V Drain-Source gerilimi ve 4.8A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. Logic Level Gate girişi ile düşük kontrol geriliminde çalıştırılabilir. 35mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) stabil çalışır. Anahtarlama uygulamaları, yük kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok