Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3 Hakkında
SI9933CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında sürekli 4A akım yeteneğine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük gerilim sinyal kontrolüne uyumludur. 58mΩ on-state direnç değeri ve 26nC gate charge karakteristiğiyle anahtarlama hızı ve güç verimliliği sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket formatında sunulan SI9933CDY, -50°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok