Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI9933BDY

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI9933

SI9933BDY Hakkında

SI9933BDY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu small signal FET, 20V drain-source gerilimi ve 3.4A kontinü drain akımı kapasitesine sahiptir. 75mOhm maksimum on-resistance (Rds) ile düşük gerilim düşüşü sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, düşük sinyal yönetiminde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 900mW maksimum güç tüketimi ve 20nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. 825pF input kapasitansi ve 1.5V gate threshold voltajı özellikleri ile tasarım esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 825pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.2A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok