Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9926DY
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI9926
SI9926DY Hakkında
SI9926DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET dizisidir. 20V drain-source voltajı ve 6.5A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 30mOhm on-resistance değerine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (10nC) ve input capacitance (700pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilen bu MOSFET dizisi, compact tasarımlar için ideal çözüm sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok