Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9926CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
SI9926CDY-T1-E3 Hakkında
SI9926CDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışmasını sağlar. 18mOhm maksimum on-state direnç (Rds(on)) ile verimli güç iletimine uygundur. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu komponentin kapı eşik voltajı (Vgs(th)) maksimum 1.5V'tur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok