Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI9926BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
SI9926BDY-T1-E3 Hakkında
SI9926BDY-T1-E3, Vishay üretimi dual N-channel MOSFET transistörü olup, 20V drain-source gerilim ile 6.2A sürekli drain akımı sağlayabilir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 20mOhm'luk düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 8-SOIC paket içerisinde iki kanal bulunması, sürücü devreler, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil işlem gösterir. Maksimum 1.14W güç tüketimi ile kompakt ve güvenilir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.14W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok