Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI8902AEDB-T2-E1
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
SI8902AEDB-T2-E1 Hakkında
SI8902AEDB-T2-E1, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 24V Drain-Source gerilim sınırlaması ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve 28mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç tüketimine sahiptir. Gürültü seviyesi düşük, hızlı anahtarlama özelliği bulunan bu bileşen, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface Mount pakajda sunulan bu MOSFET, kompakt PCB tasarımları için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFBGA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok