Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7998DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7998DP
SI7998DP-T1-GE3 Hakkında
SI7998DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilim ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate kontrolü sayesinde düşük gerilim lojik devreleriyle doğrudan uyumludur. 9.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 22W-40W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A, 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 22W, 40W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok