Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7997DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7997DP
SI7997DP-T1-GE3 Hakkında
SI7997DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 60A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 5.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. 46W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve düşük voltajlı DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Surface mount montajıyla kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 46W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok