Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7994DP
SI7994DP-T1-GE3 Hakkında
SI7994DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 60A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 5.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük kaynaklandırma kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı yönetimi, motorlu uygulamalar, DC/DC konvertörleri, load switching ve inverter devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 80nC gate charge ve 3500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 46W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok