Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7983DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7983DP
SI7983DP-T1-GE3 Hakkında
SI7983DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile 7.7A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olup, 17mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli güç işletimine olanak tanır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında görev yapar. Şu anda üretimi durdurulmuş olsa da, mevcut stok uygulamalarda değiştirme parçası olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok