Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7983DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7983DP
SI7983DP-T1-E3 Hakkında
SI7983DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltaj ve 7.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliğiyle 4.5V gate voltajında çalışabilen transistör, 17mOhm maksimum RDS(on) değeri sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Gate şarj 74nC olup, hızlı komütasyon gerektiren düşük güçlü uygulamalara uygundur. Lojik seviye gate özelliği sayesinde düşük sürücü voltajları ile doğrudan kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok