Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7980DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7980DP
SI7980DP-T1-GE3 Hakkında
SI7980DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan bu transistör, 22mOhm (10V, 5A) düşük açık-devre direnci ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 27nC gate yükü ve 1010pF giriş kapasitansi özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu bileşenin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Maksimum 19.8W ve 21.9W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 19.8W, 21.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok