Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7980DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7980DP
SI7980DP-T1-E3 Hakkında
Vishay SI7980DP-T1-E3, PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan 2N-Channel Half Bridge MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, 22mOhm On-state direnci (Rds) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 27nC gate charge ve 1010pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama yapabilen SI7980DP, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, inverter devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında verimliliği artırmaya yardımcı olur. Bileşen, üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 19.8W, 21.9W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok