Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7972DP
SI7972DP-T1-GE3 Hakkında
SI7972DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 30V nominal çalışma voltajına ve 60V maksimum drain-source voltajına sahiptir. 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 11nC @ 4.5V olup, hızlı anahtarlama özelliği mevcuttur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, switch-mode power supplies (SMPS), motor kontrol, DC-DC konverterler ve diğer güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylık sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 22W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok