Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7964DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7964DP
SI7964DP-T1-E3 Hakkında
SI7964DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 6.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm on-state direnç (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 1.4W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 65nC olup, switching uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 9.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok