Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7960DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7960DP
SI7960DP-T1-GE3 Hakkında
SI7960DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim kontrol devrelerinde kullanılabilir. 21mOhm on-state resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Güç yönetimi, motorlu uygulamalar, akülü sistemler ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün yaşadığı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok