Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7960DP
SI7960DP-T1-E3 Hakkında
SI7960DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 6.2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V'da 75nC'lik gate charge (Qg) değerine ve 10V, 9.7A'de 21mOhm maksimum RDS(On) değerine sahiptir. PowerPAK® SO-8 dual paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır. Logic level gate yapısı, düşük gerilim kontrol sinyalleriyle doğrudan kullanım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok