Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7958DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7958DP
SI7958DP-T1-GE3 Hakkında
SI7958DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 paket içerisinde iki adet N-channel FET barındırır. 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 7.2A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup 10V'da 75nC gate charge değerine sahiptir. 16.5mOhm (10V, 10A) on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve analog switch devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount montaj şekli ve kompakt paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok