Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7958DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7958DP
SI7958DP-T1-E3 Hakkında
SI7958DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 7.2A sürekli dren akımı desteği ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 16.5mOhm (10V, 11.3A) düşük RDS(on) değeri verimli anahtarlama işlemini sağlar. PowerPAK® SO-8 paketlemesi kompakt PCB tasarımlarına elverişlidir. Motor kontrolü, power distribution, DC-DC dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 11.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok