Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7956DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7956DP
SI7956DP-T1-GE3 Hakkında
SI7956DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 150V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate gerilimi ile kontrol edilebilir. 105mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok