Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7949DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7949DP
SI7949DP-T1-GE3 Hakkında
SI7949DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 3.2A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, PowerPAK® SO-8 dual paket içinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 10V'da 64mOhm kanal direncine (Rds On) ve 40nC gate yükü (Qg) değerlerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve sinyal kontrolü gereken kuvvetlendirici uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok