Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7949DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7949DP
SI7949DP-T1-E3 Hakkında
SI7949DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltaj ve 3.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V gate voltajında 40nC gate charge değerine ulaşır. 64mOhm maksimum on-resistance (10V, 5A koşullarında) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü ve düşük voltaj sinyal işleme devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok