Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7948DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7948DP
SI7948DP-T1-GE3 Hakkında
SI7948DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilmektedir. 75mOhm maksimum on-state direnci ve 1.4W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunmaktadır. Dual kanal konfigürasyonu, darbe genişlik modülasyonu ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarına uygun çözüm sağlar. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok