Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7946DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7946DP
SI7946DP-T1-GE3 Hakkında
SI7946DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistöründür. 150V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük gerilim kontrol uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 Dual paketlemesi ile surface mount montajına uygun olan SI7946DP, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde sıklıkla tercih edilmektedir. 150mOhm (10V, 3.3A) açık-kalma direnci ve 20nC (10V) gate yükü ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.4W güç tüketimine dayanır. Düşük eşik gerilimi (4V @ 250µA) sayesinde entegre devrelerden doğrudan sürülebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok