Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7946DP
SI7946DP-T1-E3 Hakkında
SI7946DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 2.1A continuous drain akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® SO-8 dual paket içinde sunulan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve 10V'da 20nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar. 150mOhm on-resistance değeri ile düşük güç tüketimi gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolay ve kompakt tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok