Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7945DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7945DP
SI7945DP-T1-GE3 Hakkında
SI7945DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK SO-8 paketinde surface mount olarak sunulur. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 10V gate geriliminde 20mOhm'luk RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı analog/dijital anahtarlama işlevlerinde tercih edilir. 74nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok