Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI7945DP-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SO-8 Dual
Seri / Aile Numarası
SI7945DP

SI7945DP-T1-E3 Hakkında

SI7945DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. Logic level gate kontrolü sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 20mΩ (10V, 10.9A'da) düşük on-direnci ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, batarya uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve aydınlatma kontrolü gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 1.4W maksimum güç dağıtabilen bu MOSFET, düşük kapasitans (74nC) nedeniyle yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status Obsolete
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10.9A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok