Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7942DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7942DP
SI7942DP-T1-GE3 Hakkında
SI7942DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörleridir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 100V drain-source geriliminde 3.8A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan SI7942DP, 49mOhm (10V, 5.9A) ile düşük on-resistance değerine sahiptir. Gate threshold voltajı 4V (250µA)'de belirlenmiş olup, maksimum 24nC gate yükü gerektirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve inverter devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisine uygun yapısıyla kompakt tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok