Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7942DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7942DP
SI7942DP-T1-E3 Hakkında
SI7942DP-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, düşük kontrol geriliminde çalışması gereken devrelerde tercih edilir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan SI7942DP, 49mOhm on-resistance değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok