Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI7940DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SI7940DP
SI7940DP-T1-GE3 Hakkında
SI7940DP-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, 12V drain-source geriliminde 7.6A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V gate geriliminde 17mΩ maksimum RDS(on) değerine ve 17nC gate yüküne sahiptir. 1.5V maksimum gate-source eşik gerilimi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve switching uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok